AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors utilizing multi-mesa-channel structures 多重台形チャネル構造を利用したAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

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著者

    • 大井, 幸多 オオイ, コウタ

書誌事項

タイトル

AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors utilizing multi-mesa-channel structures

タイトル別名

多重台形チャネル構造を利用したAlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ

著者名

大井, 幸多

著者別名

オオイ, コウタ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第10833号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000571669
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000573971
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 024609326
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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