ラマン分光法を用いた電界効果トランジスタの微細チャネル域ひずみ評価に関する研究 Investigation of strain in fine channel region of field-effect-transistor by Raman spectroscopy

この論文をさがす

著者

    • 武井, 宗久 タケイ, ムネヒサ

書誌事項

タイトル

ラマン分光法を用いた電界効果トランジスタの微細チャネル域ひずみ評価に関する研究

タイトル別名

Investigation of strain in fine channel region of field-effect-transistor by Raman spectroscopy

著者名

武井, 宗久

著者別名

タケイ, ムネヒサ

学位授与大学

明治大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第655号

学位授与年月日

2013-03-26

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000572087
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000574390
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 024618877
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
ページトップへ