GaNおよびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測

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著者

    • 石井, 良太 イシイ, リョウタ

書誌事項

タイトル

GaNおよびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測

著者名

石井, 良太

著者別名

イシイ, リョウタ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第17574号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

新制・課程博士

甲第17574号

工博第3733号

17アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000572594
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000574905
  • DOI(JaLC)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 024652507
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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