ワイドバンドギャップ半導体SiCを用いたフォトニック結晶に関する研究

この論文にアクセスする

この論文をさがす

著者

    • 山田, 翔太 ヤマダ, ショウタ

書誌事項

タイトル

ワイドバンドギャップ半導体SiCを用いたフォトニック結晶に関する研究

著者名

山田, 翔太

著者別名

ヤマダ, ショウタ

学位授与大学

京都大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第17576号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

新制・課程博士

甲第17576号

工博第3735号

2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000572596
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000574907
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 024652522
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
ページトップへ