Effects of plasma processing on electrical properties of high-k/Ge gate stack structure プラズマプロセスがHigh-k/Geゲートスタック構造の電気的特性に与える影響

この論文をさがす

著者

    • Kusumandari クスマンダリ

書誌事項

タイトル

Effects of plasma processing on electrical properties of high-k/Ge gate stack structure

タイトル別名

プラズマプロセスがHigh-k/Geゲートスタック構造の電気的特性に与える影響

著者名

Kusumandari

著者別名

クスマンダリ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第10177号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000572912
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000575227
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 024663750
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
ページトップへ