Al₂O₃をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製・評価に関する研究

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著者

    • 宮﨑, 英志 ミヤザキ, エイジ

書誌事項

タイトル

Al₂O₃をゲート絶縁膜とするAlGaN/GaN MOSHFETの作製・評価に関する研究

著者名

宮﨑, 英志

著者別名

ミヤザキ, エイジ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第10191号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000572948
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000575263
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 024664243
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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