Study on highly selective dielectric film etching using new alternative cases and its etching mecanism for a next generation ULSI fabrication process 次世代ULSI製造プロセスにおける新規フルオロカーボンガスを用いた高選択絶縁膜エッチングとそのメカニズムに関する研究

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著者

    • 宮脇, 雄大 ミヤワキ, ユウダイ

書誌事項

タイトル

Study on highly selective dielectric film etching using new alternative cases and its etching mecanism for a next generation ULSI fabrication process

タイトル別名

次世代ULSI製造プロセスにおける新規フルオロカーボンガスを用いた高選択絶縁膜エッチングとそのメカニズムに関する研究

著者名

宮脇, 雄大

著者別名

ミヤワキ, ユウダイ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第10164号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000572976
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000575291
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 024664437
  • データ提供元
    • NDL ONLINE
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