Critical phenomena of the metal-insulator transition in doped semiconductors using density functional theory and local density approximation 密度汎関数理論と局所密度近似を用いた半導体中での金属絶縁体転移の臨界現象に対する研究

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著者

    • 原嶋, 庸介 ハラシマ, ヨウスケ

書誌事項

タイトル

Critical phenomena of the metal-insulator transition in doped semiconductors using density functional theory and local density approximation

タイトル別名

密度汎関数理論と局所密度近似を用いた半導体中での金属絶縁体転移の臨界現象に対する研究

著者名

原嶋, 庸介

著者別名

ハラシマ, ヨウスケ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士(理学)

学位授与番号

甲第16032号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

背の本タイトル: Critical phenomena of the metal-insulator transition in doped semiconductors using DFT and LDA

14401甲第16032号

博士(理学)

大阪大学

2013-03-25

25817

3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000573630
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000575951
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 024703235
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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