4H-SiCバイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究 4H-SiC バイポーラデバイス ニオケル ケッショウ ケッカン ト デンキ トクセイ ノ カンケイ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 中山, 浩二 ナカヤマ, コウジ

書誌事項

タイトル

4H-SiCバイポーラデバイスにおける結晶欠陥と電気特性の関係に関する研究

タイトル別名

4H-SiC バイポーラデバイス ニオケル ケッショウ ケッカン ト デンキ トクセイ ノ カンケイ ニカンスル ケンキュウ

著者名

中山, 浩二

著者別名

ナカヤマ, コウジ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士(工学)

学位授与番号

甲第16443号

学位授与年月日

2013-03-25

注記・抄録

博士論文

14401甲第16443号

博士(工学)

大阪大学

2013-03-25

26229

9アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000573974
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000576296
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 024710255
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
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