Internal Stark effect caused by inhomogeneous distribution or ionized impurities in highly compensated semiconductors 高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果

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著者

    • 原田, 義之 ハラダ, ヨシユキ

書誌事項

タイトル

Internal Stark effect caused by inhomogeneous distribution or ionized impurities in highly compensated semiconductors

タイトル別名

高補償度半導体におけるイオン化不純物の不均一分布による内部Stark効果

著者名

原田, 義之

著者別名

ハラダ, ヨシユキ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

博士 (理学)

学位授与番号

甲第5152号

学位授与年月日

1995-03-23

注記・抄録

博士論文

資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト

コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文

目次

  1. Abstract
  2. Contents
  3. §1 Introduction
  4. §2 Theoretical Background
  5. 2-1 Stark effect in a hydrogen
  6. 2-2 Stark effect due to internal electric fields induced by ionized impurities
  7. 2-3 Inhomogeneous line-broadening theory by random distribution of ionized impurities
  8. §3 Experimental Procedure
  9. 3-1 FIR laser and detector
  10. 3-2 Experimental setup
  11. 3-3 Photo-and electric-field-excitation method
  12. 3-4 Time resolved signal measurement
  13. 3-5 Samples
  14. §4 Experimental Results
  15. 4-1 p-InSb
  16. 4-2 p-Ge
  17. §5 Monte Carlo Simulation and Discussion
  18. 5-2 p-InSb
  19. 5-3 p-Ge
  20. §6 Conclusion
  21. Acknowledgments
  22. Appendix
  23. References
  24. Figure captions
  25. Figures and Tables
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500002035576
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000002599562
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • eng
  • NDL書誌ID
    • 000000282807
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL ONLINE
    • NDLデジタルコレクション

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