IGBTの高耐圧化に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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IGBTの高耐圧化に関する研究
- 著者名
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山田, 富久
- 著者別名
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ヤマダ, トミヒサ
- 学位授与大学
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九州大学
- 取得学位
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博士 (工学)
- 学位授与番号
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乙第6744号
- 学位授与年月日
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1998-09-30
注記・抄録
博士論文
資料形態 : テキストデータ プレーンテキスト
コレクション : 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 博士論文
目次
- 目次
- 第1章 序論
- 1-1 パワー半導体デバイス研究開発の社会的背景
- 1-2 パワーデバイスの歴史的背景
- 1-3 研究開発の動機と目的
- 1-4 本研究の手順
- 1-5 論文の構成
- 第2章 IGBTの動作特性と高耐圧化のための技術課題
- 2-1 緒言
- 2-2 GTOの電力損失と高耐圧IGBTモジュールの開発目標の明確化
- 2-3 インバータ回路におけるIGBTの動作と電力損失低減のための課題
- 2-4 IGBTの構造と動作原理
- 2-5 第3世代中耐圧IGBTモジュールの開発内容
- 2-6 高耐圧IGBTモジュールの開発に関する研究課題
- 2-7 まとめ
- 第3章 PT構造とNPT構造IGBTの比較
- 3-1 緒言
- 3-2 高温時の漏れ電流の解析
- 3-3 飽和電圧の温度依存性と構造との関係解明
- 3-4 ダイナミックターンオンの解明
- 3-5 まとめ
- 第4章 高耐圧IGBTの性能改善のためのコレクタ構造の最適化
- 4-1 緒言
- 4-2 コレクタ構造と高温時の漏れ電流の関係
- 4-3 コレクタショート構造IGBTの寄生ダイオードの破壊について
- 4-4 P⁺/P⁻コレクタ構造IGBTについて
- 4-5 P⁺/P⁻コレクタ構造を有する高耐圧PT-IGBTの作成方法
- 4-6 本研究で得られた高耐圧IGBTモジュールの電気特性
- 4-7 まとめ
- 第5章 高耐圧化に伴う破壊現象と改善方法
- 5-1 緒言
- 5-2 高耐圧ダイオードの逆回復破壊現象と改善対策
- 5-3 IGBTチップの電流センスセルの過渡ピーク電流の解析とその制御法
- 5-4 ゲートドライブ回路におけるターンオフdi/dt制御
- 5-5 まとめ
- 第6章 結論
- 6-1 本研究で得られた成果
- 6-2 今後の展望と課題
- 謝辞
- 主な記号
- 主な略号
