Effect of hydrogen addition to fluoro -carbon gases (CF4, C4F8) in selective SiO2/Si etching by electron cyclotron resonance plasma
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収録刊行物
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- J. Vac. Sci. Technol.
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J. Vac. Sci. Technol. 14 (3), 1088-1091, 1996
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詳細情報 詳細情報について
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- CRID
- 1571417125787599744
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- NII論文ID
- 80009072955
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- NII書誌ID
- AA10635106
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- データソース種別
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- CiNii Articles