Terahertz frequency difference from vertically integrated low-temperature-grown GaAs photodetector

DOI PDF 被引用文献6件
  • E. Peytavit
    Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord, University of Lille, 59652 Villeneuve d’Ascq, France
  • S. Arscott
    Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord, University of Lille, 59652 Villeneuve d’Ascq, France
  • D. Lippens
    Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord, University of Lille, 59652 Villeneuve d’Ascq, France
  • G. Mouret
    Laboratoire de physico-chimie de l’atmosphère, University of Littoral-Côte d’Opale, 59140 Dunkerque, France
  • S. Matton
    Laboratoire de physico-chimie de l’atmosphère, University of Littoral-Côte d’Opale, 59140 Dunkerque, France
  • P. Masselin
    Laboratoire de physico-chimie de l’atmosphère, University of Littoral-Côte d’Opale, 59140 Dunkerque, France
  • R. Bocquet
    Laboratoire de physico-chimie de l’atmosphère, University of Littoral-Côte d’Opale, 59140 Dunkerque, France
  • J. F. Lampin
    Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord, University of Lille, 59652 Villeneuve d’Ascq, France
  • L. Desplanque
    Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord, University of Lille, 59652 Villeneuve d’Ascq, France
  • F. Mollot
    Institut d’Electronique et de Microélectronique du Nord, University of Lille, 59652 Villeneuve d’Ascq, France

抄録

<jats:p>We report on the development of a photoconductive detector based on low-temperature-grown GaAs which is vertically integrated with terahertz spiral antennas. A non steady-state velocity overshoot effect was expected in the photoresponse with a responsivity of 0.04 A/W at a bias voltage of 8 V. Photomixing experiments using two optical 0.8 μm beating lasers show a 3 dB bandwith of 700 GHz with a radiation power at terahertz frequency of 0.5 μW under 2×30 mW optical pumping.</jats:p>

収録刊行物

被引用文献 (6)*注記

もっと見る

キーワード

詳細情報 詳細情報について

問題の指摘

ページトップへ