Photodioden, Phototransistoren, Photoleiter und Bildsensorn
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Photodioden, Phototransistoren, Photoleiter und Bildsensorn
（Halbleiter-Elektronik, Bd. 11 . Optoelektronik / G. Winstel,
Springer-Verlag, 1986
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注記
Includes bibliographical references and index
内容説明・目次
目次
1 Einfuhrung und UEberblick.- 1.1 Entwicklungsgeschichte der Strahlungsempfanger.- 1.2 UEberblick uber die verschiedenen Funktionsprinzipien von Strahlungs- und Teilchendetektoren.- 1.2.1 Thermische Detektoren.- 1.2.2 Photonendetektoren.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Empfindlichkeitscharakteristiken, Nachweisgrenzen und Betriebsarten von Strahlungsempfangern.- 2.1 Der Quantenwirkungsgrad.- 2.2 Die Empfindlichkeit (Responsivity).- 2.3 Das Nachweisvermoegen.- 2.3.1 Rauschquellen.- 2.3.2 Die rauschaquivalente Leistung (Noise Equivalent Power: NEP).- 2.3.3 Die Detectivities D, D*, D**.- 2.4 Vergleich der Strahlungsdetektoren hinsichtlich Nachweisvermoegen.- 2.5 Betriebsarten von Strahlungsdetektoren.- 2.5.1 Direktempfang.- 2.5.2 Optischer Heterodynempfang.- Literatur zu Kapitel 2.- 3 Sperrschichtphotodetektoren.- 3.1 pn- und pin-Photodioden.- 3.1.1 Dunkelstrom.- 3.1.2 Strahlungsabsorption.- 3.1.3 Photostrom und Quantenwirkungsgrad.- 3.1.4 Zeitverhalten.- 3.1.5 Rauschen.- 3.2 Schottky-Photodioden.- 3.3 Phototransistoren.- 3.3.1 Photostromverstarkung.- 3.3.2 Zeitverhalten.- 3.3.3 Signal-Gerausch-Verhaltnis.- 3.4 Avalanchephotodioden.- 3.4.1 Stossionisation und Ionisationskoeffizienten.- 3.4.2 Stromverstarkung und Verstarkungsfaktoren.- 3.4.3 Zeitverhalten.- 3.4.4 Design von Avalanchephotodioden.- 3.4.5 Grenzen der Avalanche-Stromverstarkung.- 3.4.6 Rauschen und Zusatzrauschfaktor.- 3.4.7 Signal-Gerausch-Verhaltnis und optimale Verstarkung.- 3.5 Sperrschichtphotodetektoren mit HeteroStruktur.- 3.5.1 Prinzip der HeteroStruktur.- 3.5.2 Fenster- oder Filterschicht.- 3.5.3 APDs mit Avalanchezone und Absorptionszone in Halbleitern unterschiedlichen Bandabstandes.- 3.5.4 APDs mit niedrigem Zusatzrauschen durch Bandeffekte im Ortsraum.- 3.5.5 Heterostruktur-Phototransistoren.- 3.6 Ausfuhrungsformen von Sperrschichtphotodetektoren.- 3.6.1 Silizium.- 3.6.2 Germanium.- 3.6.3 AlGaAs/GaAs.- 3.6.4 InGaAsP/InP.- 3.6.5 AlGaAsSb/GaSb.- 3.6.6 InAs und InSb.- 3.6.7 PbSnTe und PbSnSe.- 3.6.8 CdHgTe.- Literatur zu Kapitel 3.- 4 Photoleiter.- 4.1 Intrinsische Photoleiter.- 4.1.1 Theorie und Zeitverhalten.- 4.1.2 Rauschen in intrinsischen Photoleitern.- 4.1.3 Materialien und Anwendungen.- 4.2 Extrinsische Photoleiter.- 4.2.1 Theorie und Zeitverhalten.- 4.2.2 Rauschen in extrinsischen Photoleitern.- 4.2.3 Materialien und Anwendungen.- 4.3 Intraband-Photoleiter.- 4.3.1 Theorie und Zeitverhalten.- 4.3.2 Rauschen in Intraband-Photoleitern.- 4.3.3 Materialien und Anwendungen.- Literatur zu Kapitel 4.- 5 Integrierte Detektorschaltungen.- 5.1 UEberblick.- 5.2 Detektorelemente fur den sichtbaren Spektralbereich.- 5.3 Detektorfelder.- 5.3.1 Modulationsubertragungsfunktion (MTF).- 5.3.2 Blooming.- 5.4 Organisationsformen und Ausleseverfahren.- 5.4.1 Zeilenfoermige Detektorschaltungen.- 5.4.2 Flachenhafte Detektorschaltungen.- 5.4.3 Vergleich und Grenzen.- 5.5 Bildsensoren fur Farbkameras.- 5.6 IR-Detektorschaltungen.- Literatur zu Kapitel 5.
「Nielsen BookData」 より
