Bänderstruktur und Stromtransport
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Bänderstruktur und Stromtransport
（Halbleiter-Elektronik, Bd. 3）
Springer-Verlag, 1991
2., überarb. und erw. Aufl.
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Includes bibliographical references and index
Description and Table of Contents
Description
Aus den Besprechungen: "Die Qualitat dieses Werkes lasst es ... notwendig erscheinen, einiges mehr zu ihm zu sagen. Seine Starke besteht namlich darin, dass die Grundlagen immer von unterschiedlichen Gesichtspunkten aus behandelt werden. So wird das Bandermodell von den Eigenfunktionen wechselwirkender Atome, aus der Schroedinger-Gleichung und uber die Pseudopotentialmethode anschaulich eingefuhrt. Bedeutsam ist, dass dies auf unterschiedlichem Niveau erfolgt. Dadurch werden die gegenseitige Bedingtheit und die Besonderheiten der Methoden noch deutlicher. Insgesamt werden auf diese Weise vier Kapitel behandelt: Bandermodell, gestoertes Gitter, Rekombination von Ladungstrager und Stromtransport. Ein umfangreiches Literaturverzeichnis und ein gutes Sachwortverzeichnis erganzen das Werk. Allen denen, die tiefer in diese Problematik eindringen wollen, kann es nur empfohlen werden." #Elektronische Informationstechnik und Kybernetik#
Table of Contents
Bezeichnungen und Symbole.- 1 Das Bandermodell.- 1.1 Bandermodell und Atomeigenfunktionen.- 1.2 Schroedinger-Gleichung der Einelektronen-Naherung und Blochsches Theorem.- 1.3 Das eindimensionale Gitter.- 1.4 Das dreidimensionale Gitter.- 1.5 Gitter-Symmetrieeigenschaften.- 1.6 Bandstruktur spezieller Halbleiter.- 1.7 Anschauliche Interpretation der Leitungsbandstruktur.- 1.8 Pseudopotential methode.- 1.9 Optische Band-B and-UEbergange.- 1.10 Leitfahigkeit und Piezowiderstandseffekt.- 2 Das gestoerte Gitter.- 2.1 UEberblick uber die Art der Gitterstoerungen.- 2.2 Lokalisierte Terme.- 2.2.1 Mott-Gurney-Modell fur flache Stoerstellen.- 2.2.2 Tiefe Stoerstellen.- 2.3 Wechselwirkung zwischen Stoerstellen.- 2.4 Hochdotierte Halbleiter.- 2.5 Amorphe Halbleiter.- 2.5.1 Xerographie.- 2.5.2 Schalteffekte.- 2.5.3 Amorphes Silizium.- 2.6 Bandstruktur in Kanalen.- 2.6.1 Bandstruktur in einem Kastenpotential.- 2.6.2 Reale Monoschichten.- 2.6.3 Vielschichtstrukturen.- 2.7 Halbleiteroberflache.- 2.8 Bandstruktur bei Korngrenzen und Versetzungen.- 3 Rekombination.- 3.1 Das thermodynamische Gleichgewicht der Ladungstrager und seine Einstellung.- 3.2 Tragerlebensdauer und -diffusion.- 3.3 Band-Band-Rekombination.- 3.3.1 Rekombinationskinetik bei schwacher Anregung.- 3.3.2 Rekombinationskinetik bei starker Anregung.- 3.3.3 Auger-Effekt.- 3.4 Kinetik der Termubergange.- 3.5 Wechselwirkung mehrerer Termsysteme.- 3.6 Vergleich der Rekombinationsmechanismen.- 4 Stromtransport.- 4.1 Die Boltzmann-Gleichung.- 4.2 Gitterschwingungen.- 4.3 Wechselwirkung von Ladungstragern mit Stoerstellen und Phononen (Streumechanismen).- 4.4 Beweglichkeit.- 4.5 Galvanomagnetische Erscheinungen.- 4. 5.1 Einfuhrung.- 4.5.2 Stoerleiter mit einfacher Bandstruktur.- 4.5.3 Stoerleiter mit Vieltal Struktur.- 4.5.4 Zweibandleitung.- 4.5.5 Magnetische Quanteneffekte.- 4.6 Heisse Elektronen.- 4.6.1 Einfuhrung.- 4.6.2 Bilanzgleichungen.- 4.6.3 Heisse Elektronen in Verbindungshalbleitern.- 4.6.4 Heisse Elektronen in Elementhalbleitern.- 4.6.5 Stossionisation.- 4.6.6 Transport in kleinen Strukturen.
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