Semiconductor heterostructure devices

著者

• 安部, 正幸 アベ, マサユキ
• 横山, 直樹 ヨコヤマ, ナオキ

書誌事項

Semiconductor heterostructure devices

[by Masayuki Abe, Naoki Yokoyama]

（Japanese technology reviews, v. 8 . Electronics）

Gordon and Breach Science Publishers, c1989

注記

Includes bibliographies and index

収録内容

• pt. 1. High electron mobility transistors / by Masayuki Abe
• pt. 2. Resonant tunneling devices / by Naoki Yokoyama

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA18353048
• ISBN:
  • 288124338X
• LCCN: 89001713
• 出版国コード: us
• タイトル言語コード: eng
• 本文言語コード: eng
• 出版地: New York
• ページ数/冊数: xii, 96 p.
• 大きさ: 22 cm
• 分類:
  • LCC : TK7871.95
  • DC19 : 621.3815/28
• 件名:
  • LCSH : Field-effect transistors
  • LCSH : Bipolar transistors
• 親書誌ID:
  • BA18343769