結晶成長の基礎
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結晶成長の基礎
(アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 18)
培風館, 1997.6
- タイトル読み
-
ケッショウ セイチョウ ノ キソ
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注記
執筆: 西岡一水ほか
参考文献: 各章末
索引あり
内容説明・目次
内容説明
本書では原子レベルでの結晶成長メカニズムを統計熱力学との関わりから解き起こし、核形成、成長面上での原子の振る舞いなど物性論的基礎をできるだけ平易に解説した。さらにシミュレーション技術、形態形成、偏析の問題、ヘテロエピタキシなど最新の研究成果を盛り込んで詳述した。
目次
- 1 結晶成長への熱力学・統計力学入門
- 2 核形成の考え方
- 3 成長面上での原子の振る舞い—BCF理論の考え方を中心として
- 4 結晶成長のコンピュータシミュレーション
- 5 形態形成の理論
- 6 偏析現象
- 7 成長の量子論
- 8 ヘテロエピタキシとその考え方—実験結果を中心として
「BOOKデータベース」 より