ウェーハ表面完全性の創成・評価技術

著者

• 津屋, 英樹 ツヤ, ヒデキ

書誌事項

ウェーハ表面完全性の創成・評価技術

津屋英樹編

サイエンスフォーラム, 1998.3

タイトル読み

ウェーハ ヒョウメン カンゼンセイ ノ ソウセイ ヒョウカ ギジュツ

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• ウェーハ表面完全性の創成・評価技術

  1998

  NDLデジタルコレクション

  限定公開

注記

文献: 各節末

• NII書誌ID(NCID): BA35307568
• ISBN:
  • 4916164148
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: 東京
• ページ数/冊数: 269p
• 大きさ: 31cm
• 分類:
  • NDC9 : 549.8
  • NDLC : ND371
• 件名:
  • NDLSH : シリコン(半導体)