InGan混晶半導体の成長と励起子光物性

著者

• 田口, 常正 タグチ, ツネマサ

書誌事項

InGan混晶半導体の成長と励起子光物性

田口常正研究代表者

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成8年度-平成9年度）

[山口大学工学部], 1998.3

タイトル読み

In GaN コンショウ ハンドウタイ ノ セイチョウ ト レイキシ コウブッセイ

注記

課題番号:08455148

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA35745601
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [宇部]
• ページ数/冊数: 58p(片面頁付)
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30193701