InGan混晶半導体の成長と励起子光物性

Author(s)

• 田口, 常正 タグチ, ツネマサ

Bibliographic Information

InGan混晶半導体の成長と励起子光物性

田口常正研究代表者

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成8年度-平成9年度）

[山口大学工学部], 1998.3

Title Transcription

In GaN コンショウ ハンドウタイ ノ セイチョウ ト レイキシ コウブッセイ

Note

課題番号:08455148

Details

• NCID: BA35745601
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: jpn
• Place of Publication: [宇部]
• Pages/Volumes: 58p(片面頁付)
• Size: 30cm
• Parent Bibliography ID:
  • BA30193701