半導体結晶成長

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半導体結晶成長

大野英男編著

コロナ社, 1999.2

Other Title

Semiconductor crystal growth

Title Transcription

ハンドウタイ ケッショウ セイチョウ

Available at  / 90 libraries

Note

参考文献: 各章末

Description and Table of Contents

Description

本書は多様な半導体の結晶成長について、表面における原子・分子の動きをとらえることから、結晶成長とその技術、さらには成長した半導体結晶の性質に至るまでを解説したものである。

Table of Contents

  • １　走査型トンネル顕微鏡によるシリコン固相エピタキシー過程とその場観察
  • ２　Ｓｉ‐Ｇｅ系のＣＶＤエピタキシーと原子層成長制御
  • ３　ＧａＡｓの単分子成長機構
  • ４　ＩＩＩ‐Ｖ族化合物半導体のエピタキシーと表面構造
  • ５　ＩＩＩ‐Ｖ族希薄磁性半導体の結晶成長と物性
  • ６　ＩＩ‐ＶＩ族半導体量子井戸の作製と光物性
  • ７　ＺｎＳ系材料の分子線エピタキシー成長
  • ８　垂直ブリッジマン法によるｔｗｉｎ‐ｆｒｅｅ　ＺｎＳｅ単結晶の作製と評価
  • ９　高純度ＺｎＳｅおよびＣｄＴｅバルク単結晶の成長と評価
  • １０　磁性半導体Ｅｕカルコゲナイドの結晶作製
  • １１　カルコパイライト型化合物の結晶成長

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Details

  • NCID
    BA39207678
  • ISBN
    • 4339007048
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    東京
  • Pages/Volumes
    ix, 265p
  • Size
    22cm
  • Classification
  • Subject Headings
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