中性子転換注入法でリンをドープしたポリシラン量子材料の半導体物性

著者

    • 松山, 奉史 マツヤマ, トモチカ

書誌事項

中性子転換注入法でリンをドープしたポリシラン量子材料の半導体物性

松山奉史研究代表

[松山奉史], 1997.3

タイトル別名

平成7年度科学研究費(一般研究C)研究成果報告書(課題番号06640441)

タイトル読み

チュウセイシ テンカン チュウニュウホウ デ リン オ ドープ シタ ポリシラン リョウシ ザイリョウ ノ ハンドウタイ ブッセイ

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA39383896
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [京都]
  • ページ数/冊数
    24p
  • 大きさ
    30cm
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