新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作

著者

• 橋詰, 保 ハシズメ, タモツ

書誌事項

新しい界面制御技術を用いたInP系超高速・超低消費電力HEMTの試作

橋詰保研究代表

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成9年度〜平成10年度）

[橋詰保], 1999.3

タイトル読み

アタラシイ カイメン セイギョ ギジュツ オ モチイタ InPケイ チョウコウソク チョウテイショウヒ デンリョク HEMT ノ シサク

注記

研究代表者所属: 北海道大学量子界面エレクトロニクス研究センター

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA41935124
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [札幌]
• ページ数/冊数: 69p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30193701