昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシャル成長

著者

• 西野, 茂弘 ニシノ, シゲヒロ

書誌事項

昇華近接法による高品質SiCの高速エピタキシャル成長

研究代表者西野茂弘

[西野茂弘], 1999

タイトル別名

平成9年度-平成10年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書(研究課題番号09450011)

タイトル読み

ショウカ キンセツホウ ニ ヨル コウヒンシツ SiC ノ コウソク エピタキシャル セイチョウ

注記

本文は日本語と英語

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA42183476
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [京都]
• ページ数/冊数: iv, 79p
• 大きさ: 30cm