III族窒化物半導体
著者
書誌事項
III族窒化物半導体
(アドバンストエレクトロニクスシリーズ / 菅野卓雄 [ほか] 監修, カテゴリー1 . エレクトロニクス材料・物性・デバイス||エレクトロニクス ザイリョウ ブッセイ デバイス ; 21)
培風館, 1999.12
- タイトル別名
-
III族窒化物半導体
- タイトル読み
-
IIIゾク チッカブツ ハンドウタイ
大学図書館所蔵 全94件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
この図書・雑誌をさがす
注記
参考文献: 各章末
奥付の責任表示: 赤崎勇編
内容説明・目次
内容説明
本書は、進展著しい3族窒化物半導体について、基礎から応用まで最新の内容をまとめたものである。1編では、3族窒化物半導体の結晶構造やエネルギー帯構造、また光学的・電気的性質など基礎物性を詳述する。2編では、本半導体研究のブレークスルーとなった様々な結晶成長技術について記述する。3編では、各種デバイスへの応用、すなわち発光ダイオード、レーザダイオード、受光デバイス、および電子デバイスなどについて、その構造、特性について詳述している。
目次
- 第1編 3族窒化物半導体の物性(エネルギー帯構造—結晶構造;機械的性質・熱(力学)的性質;3族窒化物半導体の光学的・電気的特性)
- 第2編 3族窒化物半導体の結晶成長(結晶成長の熱力学;バルク結晶成長;ハイドライド気相成長—HVPE ほか)
- 第3編 デバイス各論(発光ダイオード;半導体レーザ;受光デバイス ほか)
「BOOKデータベース」 より