超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

Author(s)

• 長谷川, 英機 ハセガワ, ヒデキ

Bibliographic Information

超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現

長谷川英機研究代表

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成10年度〜平成11年度）

[北海道大学大学院工学研究科], 2000.3

Title Transcription

チョウウスマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニヨル InPケイ チョウコウシュウハ ダイデンリョク デバイス ノ ジツゲン

Details

• NCID: BA47593191
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: engjpn
• Place of Publication: [札幌]
• Pages/Volumes: 172p
• Size: 30cm
• Parent Bibliography ID:
  • BA30193701