超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現
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書誌事項
超薄膜シリコン量子井戸を含む絶縁ゲートによるInP系超高周波大電力デバイスの実現
（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成10年度〜平成11年度）
[北海道大学大学院工学研究科], 2000.3
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チョウウスマク シリコン リョウシ イド オ フクム ゼツエン ゲート ニヨル InPケイ チョウコウシュウハ ダイデンリョク デバイス ノ ジツゲン
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