マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作

Author(s)

Bibliographic Information

マイクロチャンネルエピタキシを用いたSi上無転位GaAsの成長とレーザーの試作

研究代表者 西永頌

西永頌, 2000.5

Other Title

平成10年度〜平成11年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

文部省科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

Title Transcription

マイクロ チャンネル エピタキシ オ モチイタ Si ジョウ ムテンイ GaAs ノ セイチョウ ト レーザー ノ シサク

Available at  / 1 libraries

Search this Book/Journal

Note

研究分担者: 田中雅明,成塚重弥,森英史,太刀川正美

Details

  • NCID
    BA49753823
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    engjpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    1冊
  • Size
    30cm
Page Top