超高速デバイス用低干渉III-V族半導体・シリコンヘテロ接合の製作と電子物性制御

著者

• 吉本, 昌広 ヨシモト, マサヒロ

書誌事項

超高速デバイス用低干渉III-V族半導体・シリコンヘテロ接合の製作と電子物性制御

研究代表者吉本昌広

[吉本昌広], 2001.3

タイトル別名

平成11年度-平成12年度科学研究費補助金(基盤研究(C)(2))研究成果報告書(研究課題番号11650322)

タイトル読み

チョウコウソク デバイスヨウ テイカンショウ III-V ゾク ハンドウタイ シリコンヘテロ セツゴウ ノ セイサク ト デンシ ブッセイ セイギョ

注記

本文は日本語と英語

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA52354666
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [京都]
• ページ数/冊数: iii,38p
• 大きさ: 30cm