単電子デバイスとその高密度集積化

著者

• 長谷川, 英機 ハセガワ, ヒデキ

書誌事項

単電子デバイスとその高密度集積化

長谷川英機研究代表

（科学研究費補助金(特定領域研究(A))研究成果報告書, 平成8年度〜平成11年度）

[北海道大学工学研究科], 2001.3

タイトル読み

タンデンシ デバイス ト ソノ コウミツド シュウセキカ

注記

研究課題番号:08247102

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA52558881
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [札幌]
• ページ数/冊数: 705p
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA42058521