GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

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GaAsを種結晶として用いたバルクGaN単結晶基板の作製

（科学研究費補助金基盤研究(B)展開(2)研究成果報告書, 平成9-11年度）

[長谷川文夫], 2001.2

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GaAs オ シュケッショウ トシテ モチイタ バルク GaN タンケッショウ キバン ノ サクセイ

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研究代表者: 長谷川文夫

研究課題番号: 09555002

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Details

  • NCID
    BA5289101X
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [つくば]
  • Pages/Volumes
    30枚, [99]p
  • Size
    30cm
  • Parent Bibliography ID
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