析出面の高温マスキングによるSiCウイスカーの成長制御に関する反応工学的研究

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析出面の高温マスキングによるSiCウイスカーの成長制御に関する反応工学的研究

堀尾正靭研究代表者

堀尾正靭, 1992.4

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科学研究費補助金(一般研究(C))研究成果報告書 : 平成3年度

Title Transcription

セキシュツメン ノ コウオン マスキング ニ ヨル SiC ウイスカー ノ セイチョウ セイギョ ニ カンスル ハンノウ コウガクテキ ケンキュウ

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Note

[課題番号] : 02650703

Details

  • NCID
    BA55738074
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [小金井]
  • Pages/Volumes
    29p
  • Size
    26cm
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