量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

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量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

研究代表者 平本俊郎

平本俊郎, 2001.3

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平成10年度〜平成12年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

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リョウシ コウカ オ セッキョク リヨウシタ SOI MOSFET ノ セイノウ コウジョウ ト バラツキ テイゲン ノ ケンキュウ

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Note

研究分担者: 柴田直[ほか]

Details

  • NCID
    BA56491228
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpn
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    62p
  • Size
    30cm
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