量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

著者

• 平本, 俊郎 ヒラモト, トシロウ

書誌事項

量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

研究代表者 平本俊郎

平本俊郎, 2001.3

タイトル別名

平成10年度〜平成12年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

タイトル読み

リョウシ コウカ オ セッキョク リヨウシタ SOI MOSFET ノ セイノウ コウジョウ ト バラツキ テイゲン ノ ケンキュウ

注記

研究分担者: 柴田直[ほか]

• NII書誌ID(NCID): BA56491228
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpn
• 出版地: [東京]
• ページ数/冊数: 62p
• 大きさ: 30cm