量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

書誌事項

量子効果を積極利用した薄膜SOI MOSFETの性能向上とばらつき低減の研究

研究代表者 平本俊郎

平本俊郎, 2001.3

タイトル別名

平成10年度〜平成12年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書

タイトル読み

リョウシ コウカ オ セッキョク リヨウシタ SOI MOSFET ノ セイノウ コウジョウ ト バラツキ テイゲン ノ ケンキュウ

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注記

研究分担者: 柴田直[ほか]

詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA56491228
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 出版地
    [東京]
  • ページ数/冊数
    62p
  • 大きさ
    30cm
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