積層型InGaN量子ドットレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

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積層型InGaN量子ドットレーザの発振特性の原子レベルからの理論解析

研究代表者斎藤敏夫

斎藤敏夫, 2002.3

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平成12年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究(C)(2))研究成果報告書

文部科学省科学研究費補助金(基盤研究(C)(2))研究成果報告書

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セキソウガタ InGaN リョウシ ドット レーザ ノ ハッシン トクセイ ノ ゲンシ レベル カラ ノ リロン カイセキ

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Note

課題番号: 12650004

研究分担者: 荒川泰彦

Details

  • NCID
    BA57195989
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    ii, 30p
  • Size
    30cm
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