分子被覆導線を用いて配線された分子デバイスの構築とその物性

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分子被覆導線を用いて配線された分子デバイスの構築とその物性

研究代表者、下村武史

下村武史, 2002.3

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平成12年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究C 2)研究成果報告書

文部省科学研究費補助金(基盤研究C 2)研究成果報告書

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ブンシ ヒフク ドウセン オ モチイテ ハイセン サレタ ブンシ デバイス ノ コウチク ト ソノ ブッセイ

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Details

  • NCID
    BA5729284X
  • Country Code
    ja
  • Title Language Code
    jpn
  • Text Language Code
    jpneng
  • Place of Publication
    [東京]
  • Pages/Volumes
    49p
  • Size
    30cm
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