分子被覆導線を用いて配線された分子デバイスの構築とその物性

書誌事項

分子被覆導線を用いて配線された分子デバイスの構築とその物性

研究代表者、下村武史

下村武史, 2002.3

タイトル別名

平成12年度〜平成13年度科学研究費補助金(基盤研究C 2)研究成果報告書

文部省科学研究費補助金(基盤研究C 2)研究成果報告書

タイトル読み

ブンシ ヒフク ドウセン オ モチイテ ハイセン サレタ ブンシ デバイス ノ コウチク ト ソノ ブッセイ

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA5729284X
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [東京]
  • ページ数/冊数
    49p
  • 大きさ
    30cm
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