半導体デバイス理論 : 基礎から最新のシミュレーションまで

書誌事項

半導体デバイス理論 : 基礎から最新のシミュレーションまで

Karl Hess [著] ; 松田和典 [ほか] 訳

丸善, 2002.8

タイトル別名

Advanced theory of semiconductor devices

タイトル読み

ハンドウタイ デバイス リロン : キソ カラ サイシン ノ シミュレーション マデ

注記

Advanced theory of semiconductor devices.原著改訂新版の翻訳

その他の訳者: 石橋晃、関俊司、谷村吉隆

内容説明・目次

内容説明

半導体デバイスは現在世界中のいたるところにある。車、台所、電子鍵にも多く見られ、日常生活における存在がその証拠となっている。本書は、基礎量子物理学からコンピュータ支援の設計に至るまで、半導体デバイス理論についての基礎をわかりやすく述べたものである。

目次

  • 基礎方程式の簡単な復習
  • 結晶格子の対称性
  • 結晶のエネルギーバンド理論
  • 理想的な結晶構造の不完全性
  • 電子と正孔に対する平衡状態の統計
  • 自己無撞着ポテンシャルと半導体の誘電的性質
  • 散乱理論
  • ボルツマン輸送方程式
  • 生成‐再結合
  • ヘテロ接合障壁
  • ショックレーとストラットンのデバイス方程式
  • 数値デバイスシミュレーション
  • ダイオード
  • レーザダイオード
  • トランジスタ
  • 未来の半導体デバイス

「BOOKデータベース」 より

詳細情報
  • NII書誌ID(NCID)
    BA5840916X
  • ISBN
    • 4621070789
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpn
  • 原本言語コード
    eng
  • 出版地
    東京
  • ページ数/冊数
    xiv, 384p
  • 大きさ
    21cm
  • 分類
  • 件名
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