負性電子親和力・GaN/AIN超格子による次世代電子エミッターの開発

著者

• 平松, 和政 ヒラマツ, カズマサ

書誌事項

負性電子親和力・GaN/AIN超格子による次世代電子エミッターの開発

研究代表者:平松和政

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成11年度〜平成13年度）

[平松和政], 2002.3

タイトル読み

フセイ デンシ シンワリョク GaN/AIN チョウコウシ ニヨル ジセダイ デンシ エミッター ノ カイハツ

注記

課題番号: 11555094

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA58524758
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [津]
• ページ数/冊数: 1冊
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30193701