負性電子親和力・GaN/AIN超格子による次世代電子エミッターの開発

著者
    • 平松, 和政 ヒラマツ, カズマサ
書誌事項

負性電子親和力・GaN/AIN超格子による次世代電子エミッターの開発

研究代表者:平松和政

(科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成11年度〜平成13年度)

[平松和政], 2002.3

タイトル読み

フセイ デンシ シンワリョク GaN/AIN チョウコウシ ニヨル ジセダイ デンシ エミッター ノ カイハツ

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注記

課題番号: 11555094

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詳細情報
  • NII書誌ID(NCID)
    BA58524758
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [津]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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