窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陥の低減

著者

    • 平松, 和政 ヒラマツ, カズマサ

書誌事項

窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陥の低減

研究代表者:平松和政

(科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成11年度〜平成13年度)

[平松和政], 2002.3

タイトル読み

チッカブツ ハンドウタイ ノ センタク セイチョウホウ ニヨル キンゾク ウメコミ ト ケッショウ ケッカン ノ テイゲン

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注記

課題番号: 11450012

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詳細情報

  • NII書誌ID(NCID)
    BA58594844
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [津]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
  • 親書誌ID
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