窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陥の低減

著者

• 平松, 和政 ヒラマツ, カズマサ

書誌事項

窒化物半導体の選択成長法による金属埋込みと結晶欠陥の低減

研究代表者:平松和政

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成11年度〜平成13年度）

[平松和政], 2002.3

タイトル読み

チッカブツ ハンドウタイ ノ センタク セイチョウホウ ニヨル キンゾク ウメコミ ト ケッショウ ケッカン ノ テイゲン

注記

課題番号: 11450012

• NII書誌ID(NCID): BA58594844
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [津]
• ページ数/冊数: 1冊
• 大きさ: 30cm
• 親書誌ID:
  • BA30193701