MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究

著者

• 塩崎, 忠 シオサキ, タダシ

書誌事項

MOCVD法による強誘電体薄膜の高速大面積成長とメモリ等のデバイスへの実用化研究

研究代表者塩嵜忠

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(1))研究成果報告, 平成9-10年度）

[奈良先端科学技術大学院大学], 1999.3

タイトル別名

平成9年-平成10年度科学研究費補助金(基盤研究(B)(1))研究成果報告書

タイトル読み

MOCVDホウ ニヨル キョウユウデンタイ ハクマク ノ コウソク ダイメンセキ セイチョウ ト メモリ ナドノ デバイス エノ ジツヨウカ ケンキュウ

注記

課題番号009555099

• NII書誌ID(NCID): BA5932640X
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [生駒]
• ページ数/冊数: 1冊
• 大きさ: 30 cm
• 親書誌ID:
  • BA31564911