ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

著者

• 木本, 恒暢 キモト, ツネノブ

書誌事項

ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

木本恒暢研究代表

[木本恒暢], 2003.3

タイトル別名

平成13〜14年度科学研究費補助金基盤研究(B)(2)研究成果報告書(課題番号13555094)

タイトル読み

ワイドギャップ ハンドウタイ SiC オ モチイタ コウタイアツ・チョウコウコウリツ・コウソク パワー MOSFET

詳細情報

• NII書誌ID(NCID): BA63395472
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: jpneng
• 出版地: [京都]
• ページ数/冊数: 1冊
• 大きさ: 30cm