ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

著者
    • 木本, 恒暢 キモト, ツネノブ
書誌事項

ワイドギャップ半導体SiCを用いた高耐圧・超高効率・高速パワーMOSFET

木本恒暢研究代表

[木本恒暢], 2003.3

タイトル別名

平成13〜14年度科学研究費補助金基盤研究(B)(2)研究成果報告書(課題番号13555094)

タイトル読み

ワイドギャップ ハンドウタイ SiC オ モチイタ コウタイアツ・チョウコウコウリツ・コウソク パワー MOSFET

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詳細情報
  • NII書誌ID(NCID)
    BA63395472
  • 出版国コード
    ja
  • タイトル言語コード
    jpn
  • 本文言語コード
    jpneng
  • 出版地
    [京都]
  • ページ数/冊数
    1冊
  • 大きさ
    30cm
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