紫外光励起を利用したシリコン基板へのエピタキシャル絶縁膜形成の基礎研究

著者

• 中村, 哲郎 ナカムラ, テツロウ

書誌事項

紫外光励起を利用したシリコン基板へのエピタキシャル絶縁膜形成の基礎研究

研究代表者 中村哲郎

（科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書, 昭和62年度）

中村哲郎, 1988.3

タイトル別名

昭和62年度科学研究費補助金(一般研究B)研究成果報告書

タイトル読み

シガイコウ レイキ オ リヨウシタ シリコン キバン エノ エピタキシャル ゼツエンマク ケイセイ ノ キソ ケンキュウ

注記

研究課題番号: 61460124

• NII書誌ID(NCID): BA64063900
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: eng
• 出版地: [豊橋]
• ページ数/冊数: 51p
• 大きさ: 26cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
• 親書誌ID:
  • BN0345591X