超薄膜SiヘテロエピタキシャルSOI構造の形成と薄膜トランジスタへの応用

著者

• 中村, 哲郎 ナカムラ, テツロウ

書誌事項

超薄膜SiヘテロエピタキシャルSOI構造の形成と薄膜トランジスタへの応用

研究代表者 中村哲郎

（科学研究費補助金(一般研究(B))研究成果報告書, 平成元年度）

中村哲郎, 1991.3

タイトル別名

平成元年度科学研究費補助金(一般研究B)研究成果報告書

タイトル読み

チョウハクマク Si ヘテロエピタキシャル SOI コウゾウ ノ ケイセイ ト ハクマク トランジスタ エノ オウヨウ

注記

研究課題番号: 01460140

• NII書誌ID(NCID): BA64069259
• 出版国コード: ja
• タイトル言語コード: jpn
• 本文言語コード: eng
• 出版地: [豊橋]
• ページ数/冊数: 51p
• 大きさ: 26cm
• 分類:
  • NDC8 : 549.8
• 親書誌ID:
  • BN0345591X