II-VI族半導体ZnOのd-p混成と電子強誘電性の発現機構

Author(s)

• 小野寺, 彰 オノデラ, アキラ

Bibliographic Information

II-VI族半導体ZnOのd-p混成と電子強誘電性の発現機構

研究代表者 小野寺 彰

（科学研究費補助金(基盤研究(B)(2))研究成果報告書, 平成12-14年度）

[北海道大学], 2003.3

Title Transcription

II-VIゾク ハンドウタイ ZnO ノ d-p コンセイ ト デンシ キョウユウ デンセイ ノ ハツゲン キコウ

Note

課題番号:12440078

Details

• NCID: BA65221880
• Country Code: ja
• Title Language Code: jpn
• Text Language Code: engjpn
• Place of Publication: [札幌]
• Pages/Volumes: 164p
• Size: 30cm
• Parent Bibliography ID:
  • BA30193701