Meß- und Prüftechnik
著者
書誌事項
Meß- und Prüftechnik
(Halbleiter-Elektronik, Bd. 20)
Springer-Verlag, 1986
- : New York
- : Berlin
大学図書館所蔵 全1件
  青森
  岩手
  宮城
  秋田
  山形
  福島
  茨城
  栃木
  群馬
  埼玉
  千葉
  東京
  神奈川
  新潟
  富山
  石川
  福井
  山梨
  長野
  岐阜
  静岡
  愛知
  三重
  滋賀
  京都
  大阪
  兵庫
  奈良
  和歌山
  鳥取
  島根
  岡山
  広島
  山口
  徳島
  香川
  愛媛
  高知
  福岡
  佐賀
  長崎
  熊本
  大分
  宮崎
  鹿児島
  沖縄
  韓国
  中国
  タイ
  イギリス
  ドイツ
  スイス
  フランス
  ベルギー
  オランダ
  スウェーデン
  ノルウェー
  アメリカ
注記
Includes bibliographies and index
内容説明・目次
目次
1 Einleitung.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Analoge integrierte Schaltungen.- 2.1 Informationsgehalt von Datenblattern.- 2.2 Allgemeine Messungen.- 2.2.1 Eingangs- und Ausgangswiderstande.- 2.2.2 Messung von komplexen Widerstanden.- 2.2.3 Messung von kleinen Stroemen.- 2.2.4 Messung von kleinen Spannungsdifferenzen.- 2.2.5 Zeit- und Frequenzmessung.- 2.2.6 Stoerspannungen.- 2.2.7 Klirrfaktormessungen.- 2.3 Typenbezogene Messungen.- 2.3.1 Operationsverstarker.- 2.3.2 NF-Verstarker.- 2.3.3 FM-ZF-Verstarker mit Demodulator.- 2.3.4 AM-Empfangerschaltungen.- 2.3.5 Induktive Annaherungsschalter.- 2.3.6 Hall-Schaltkreise.- 2.3.7 Problemloesungen bei rechnergesteuerten Messplatzen.- 2.4 Prufstrategien und Prufmittel.- 2.4.1 Messplatze mit IEC-Bus-gesteuerten Messgeraten.- 2.4.2 Grosstestsysteme.- 2.4.3 Kleintester.- 2.5 Literatur zu Kapitel 2.- 3 Testen digitaler integrierter Schaltungen.- 3.1 Einleitung.- 3.2 Fehlerursachen und Fehlermodelle.- 3.2.1 Physikalische Fehlermoeglichkeiten.- 3.2.2 Strukturorientierte Fehlermodelle.- 3.2.3 Funktionsorientierte Fehlermodelle.- 3.3 Testmustererzeugung.- 3.3.1 Testmuster fur kombinatorische Schaltungen.- 3.3.2 Minimierung von Testmengen.- 3.3.3 Testmuster fur sequentielle Schaltungen.- 3.4 Testfreundlicher Entwurf.- 3.4.1 Passive Testhilfe.- 3.4.2 Aktive Testhilfen.- 3.5 Testen digitaler Speicher.- 3.5.1 Besonderheiten beim Speichertest.- 3.5.2 Speichertestmuster.- 3.6 Testautomaten.- 3.7 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Zuverlassigkeit integrierter Schaltungen.- 4.1 Zuverlassigkeitsbegriffe und statistische Beschreibungsweisen.- 4.2 Ausfallmechanismen und ihre Aktivierbarkeit durch Belastung.- 4.2.1 Potentielle Zuverlassigkeit eines Bauelements.- 4.2.2 Methoden der Lebensdauerprufung.- 4.2.3 Beschleunigung durch erhoehte Temperatur.- 4.2.4 UEbersicht uber lebensdauerbestimmende Mechanismen.- 4.3 Reale Zuverlassigkeit.- 4.3.1 Einfluss technischer Materialien und Fertigungsbedingungen auf die Zuverlassigkeit, Prinzipien von Prufmassnahmen.- 4.3.2 Auswirkung von Prozessfehlern.- 4.3.3 Lokale Defekte.- 4.3.4 Technologische Lernkurve und Ausfallursachen.- 4.4 Massnahmen der Zuverlassigkeitssicherung.- 4.4.1 Auswahl geeigneter Testobjekte.- 4.4.2 Standardisierte Verfahren der Zuverlassigkeitssicherung.- 4.5 Masszahlen der Zuverlassigkeit.- 4.5.1 Zuverlassigkeit und Fortschritt der Integration.- 4.5.2 Zeitlicher Verlauf der Ausfallrate.- 4.5.3 Erwartungswerte der Ausfallrate.- 4.5.4 Zuverlassigkeitssichernde Massnahmen an elektronischen Geraten und Systemen.- 4.6 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Elektronenstrahl-Potentialmesstechnik.- 5.1 Einfuhrung.- 5.1.1 Aufgabe.- 5.1.2 Historischer UEberblick.- 5.2 Qualitative Verfahren.- 5.2.1 Potentialkontrastabbildung.- 5.2.2 Voltage Coding.- 5.2.3 Stroboskopische Potentialkontrastabbildung.- 5.2.4 Darstellung logischer Zustande.- 5.3 Quantitative Verfahren.- 5.3.1 Potentialmessung.- 5.3.2 Sampling-Verfahren.- 5.4 Messbedingungen.- 5.4.1 Beschleunigungsspannung.- 5.4.2 Sondenstrom.- 5.4.3 Potentialaufloesung.- 5.4.4 Ortsaufloesung.- 5.4.5 Zeitaufloesung.- 5.5 Gerate.- 5.5.1 Prinzipaufbau.- 5.5.2 Strahltastsysteme.- 5.5.3 Sekundarelektronen-Spektrometer.- 5.5.4 Probenkammern.- 5.6 Anwendungen.- 5.6.1 Auswahl der Methode.- 5.6.2 16-kbit-MOS-Speicherbaustein.- 5.6.3 8-bit-Mikroprozessor 8085.- 5.7 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Prufen von Halbleiterbauelementen mittels elektroneninduziertem Strom (EBIC).- 6.1 Einfuhrung.- 6.2 Grundlagen.- 6.2.1 Erzeugung von Ladungstragern.- 6.2.2 Ladungstrennung.- 6.2.3 Ladungstrennungsstrom.- 6.3 Versuchsbedingungen.- 6.3.1 Praparation.- 6.3.2 Messbedingungen.- 6.4 Anwendungen.- 6.4.1 EBIC-Profile.- 6.4.2 pn-UEbergange.- 6.4.3 Kanallangen.- 6.4.4 Fehlstellen und Gitterdefekte.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Leistungshalbleiterbauelemente.- 7.1 UEbersicht.- 7.2 Typische Probleme der Messtechnik fur Leistungshalbleiterbauelemente.- 7.2.1 Erzeugung von Messstroemen und Messspannungen.- 7.2.2 Aufbau und Thermostatisierung..- 7.2.3 Strom- und Spannungsmessung.- 7.2.4 Sicherheitsmassnahmen.- 7.3 Typische Messmethoden.- 7.3.1 Statisches Verhalten.- 7.3.1.1 Durchlassverhalten.- 7.3.1.2 Sperrverhalten.- 7.3.1.3 Zundverhalten.- 7.3.2 Dynamisches Verhalten.- 7.3.2.1 Einschaltverhalten.- 7.3.2.2 Ausschaltverhalten.- 7.3.2.3 Schaltverlustleistung.- 7.4 Beschreibung eines Messplatzes.- 7.5 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Optoelektronische Bauelemente.- 8.1 Einfuhrung.- 8.2 Lichtmessung.- 8.2.1 Messung mit photometrischer Bewertung.- 8.2.2 Farbsehen und Farbmetrik.- 8.2.3 Messung mit radiometrischer Bewertung.- 8.2.4 Photometrische und radiometrische Groessen.- 8.2.5 Praktische Durchfuhrung von Lichtmessungen.- 8.3 Messungen an Lichtsendern.- 8.3.1 Messung der senderseitigen Grundgroessen.- 8.3.2 Eichung von Lichtsendern.- 8.3.3 Messung der Richtcharakteristik.- 8.3.4 Ermittlung des Strahlenflusses.- 8.3.5 Kontrastmessung.- 8.3.6 Schaltzeitmessung.- 8.3.7 Messung des Temperaturverhaltens.- 8.3.8 Farbmessung.- 8.4 Messungen an Lichtempfangern.- 8.4.1 Messung der Empfindlichkeit von Empfangern.- 8.4.2 Spezielle empfangerspezifische Groessen.- 8.4.3 Messung von Schaltzeiten.- 8.4.4 Messung von Photoelementen.- 8.5 Messung von Sender-Empfanger-Kombinationen.- 8.5.1 Messung an Optokopplern.- 8.5.2 Messung von Lichtschranken.- 8.5.3 Bauelemente fur Lichtwellenleiter.- 8.6 Literatur zu Kapitel 8.
「Nielsen BookData」 より