Meß- und Prüftechnik
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Meß- und Prüftechnik
（Halbleiter-Elektronik, Bd. 20）
Springer-Verlag, 1986
- : New York
- : Berlin
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Description and Table of Contents
Table of Contents
1 Einleitung.- Literatur zu Kapitel 1.- 2 Analoge integrierte Schaltungen.- 2.1 Informationsgehalt von Datenblattern.- 2.2 Allgemeine Messungen.- 2.2.1 Eingangs- und Ausgangswiderstande.- 2.2.2 Messung von komplexen Widerstanden.- 2.2.3 Messung von kleinen Stroemen.- 2.2.4 Messung von kleinen Spannungsdifferenzen.- 2.2.5 Zeit- und Frequenzmessung.- 2.2.6 Stoerspannungen.- 2.2.7 Klirrfaktormessungen.- 2.3 Typenbezogene Messungen.- 2.3.1 Operationsverstarker.- 2.3.2 NF-Verstarker.- 2.3.3 FM-ZF-Verstarker mit Demodulator.- 2.3.4 AM-Empfangerschaltungen.- 2.3.5 Induktive Annaherungsschalter.- 2.3.6 Hall-Schaltkreise.- 2.3.7 Problemloesungen bei rechnergesteuerten Messplatzen.- 2.4 Prufstrategien und Prufmittel.- 2.4.1 Messplatze mit IEC-Bus-gesteuerten Messgeraten.- 2.4.2 Grosstestsysteme.- 2.4.3 Kleintester.- 2.5 Literatur zu Kapitel 2.- 3 Testen digitaler integrierter Schaltungen.- 3.1 Einleitung.- 3.2 Fehlerursachen und Fehlermodelle.- 3.2.1 Physikalische Fehlermoeglichkeiten.- 3.2.2 Strukturorientierte Fehlermodelle.- 3.2.3 Funktionsorientierte Fehlermodelle.- 3.3 Testmustererzeugung.- 3.3.1 Testmuster fur kombinatorische Schaltungen.- 3.3.2 Minimierung von Testmengen.- 3.3.3 Testmuster fur sequentielle Schaltungen.- 3.4 Testfreundlicher Entwurf.- 3.4.1 Passive Testhilfe.- 3.4.2 Aktive Testhilfen.- 3.5 Testen digitaler Speicher.- 3.5.1 Besonderheiten beim Speichertest.- 3.5.2 Speichertestmuster.- 3.6 Testautomaten.- 3.7 Literatur zu Kapitel 3.- 4 Zuverlassigkeit integrierter Schaltungen.- 4.1 Zuverlassigkeitsbegriffe und statistische Beschreibungsweisen.- 4.2 Ausfallmechanismen und ihre Aktivierbarkeit durch Belastung.- 4.2.1 Potentielle Zuverlassigkeit eines Bauelements.- 4.2.2 Methoden der Lebensdauerprufung.- 4.2.3 Beschleunigung durch erhoehte Temperatur.- 4.2.4 UEbersicht uber lebensdauerbestimmende Mechanismen.- 4.3 Reale Zuverlassigkeit.- 4.3.1 Einfluss technischer Materialien und Fertigungsbedingungen auf die Zuverlassigkeit, Prinzipien von Prufmassnahmen.- 4.3.2 Auswirkung von Prozessfehlern.- 4.3.3 Lokale Defekte.- 4.3.4 Technologische Lernkurve und Ausfallursachen.- 4.4 Massnahmen der Zuverlassigkeitssicherung.- 4.4.1 Auswahl geeigneter Testobjekte.- 4.4.2 Standardisierte Verfahren der Zuverlassigkeitssicherung.- 4.5 Masszahlen der Zuverlassigkeit.- 4.5.1 Zuverlassigkeit und Fortschritt der Integration.- 4.5.2 Zeitlicher Verlauf der Ausfallrate.- 4.5.3 Erwartungswerte der Ausfallrate.- 4.5.4 Zuverlassigkeitssichernde Massnahmen an elektronischen Geraten und Systemen.- 4.6 Literatur zu Kapitel 4.- 5 Elektronenstrahl-Potentialmesstechnik.- 5.1 Einfuhrung.- 5.1.1 Aufgabe.- 5.1.2 Historischer UEberblick.- 5.2 Qualitative Verfahren.- 5.2.1 Potentialkontrastabbildung.- 5.2.2 Voltage Coding.- 5.2.3 Stroboskopische Potentialkontrastabbildung.- 5.2.4 Darstellung logischer Zustande.- 5.3 Quantitative Verfahren.- 5.3.1 Potentialmessung.- 5.3.2 Sampling-Verfahren.- 5.4 Messbedingungen.- 5.4.1 Beschleunigungsspannung.- 5.4.2 Sondenstrom.- 5.4.3 Potentialaufloesung.- 5.4.4 Ortsaufloesung.- 5.4.5 Zeitaufloesung.- 5.5 Gerate.- 5.5.1 Prinzipaufbau.- 5.5.2 Strahltastsysteme.- 5.5.3 Sekundarelektronen-Spektrometer.- 5.5.4 Probenkammern.- 5.6 Anwendungen.- 5.6.1 Auswahl der Methode.- 5.6.2 16-kbit-MOS-Speicherbaustein.- 5.6.3 8-bit-Mikroprozessor 8085.- 5.7 Literatur zu Kapitel 5.- 6 Prufen von Halbleiterbauelementen mittels elektroneninduziertem Strom (EBIC).- 6.1 Einfuhrung.- 6.2 Grundlagen.- 6.2.1 Erzeugung von Ladungstragern.- 6.2.2 Ladungstrennung.- 6.2.3 Ladungstrennungsstrom.- 6.3 Versuchsbedingungen.- 6.3.1 Praparation.- 6.3.2 Messbedingungen.- 6.4 Anwendungen.- 6.4.1 EBIC-Profile.- 6.4.2 pn-UEbergange.- 6.4.3 Kanallangen.- 6.4.4 Fehlstellen und Gitterdefekte.- 6.5 Literatur zu Kapitel 6.- 7 Leistungshalbleiterbauelemente.- 7.1 UEbersicht.- 7.2 Typische Probleme der Messtechnik fur Leistungshalbleiterbauelemente.- 7.2.1 Erzeugung von Messstroemen und Messspannungen.- 7.2.2 Aufbau und Thermostatisierung..- 7.2.3 Strom- und Spannungsmessung.- 7.2.4 Sicherheitsmassnahmen.- 7.3 Typische Messmethoden.- 7.3.1 Statisches Verhalten.- 7.3.1.1 Durchlassverhalten.- 7.3.1.2 Sperrverhalten.- 7.3.1.3 Zundverhalten.- 7.3.2 Dynamisches Verhalten.- 7.3.2.1 Einschaltverhalten.- 7.3.2.2 Ausschaltverhalten.- 7.3.2.3 Schaltverlustleistung.- 7.4 Beschreibung eines Messplatzes.- 7.5 Literatur zu Kapitel 7.- 8 Optoelektronische Bauelemente.- 8.1 Einfuhrung.- 8.2 Lichtmessung.- 8.2.1 Messung mit photometrischer Bewertung.- 8.2.2 Farbsehen und Farbmetrik.- 8.2.3 Messung mit radiometrischer Bewertung.- 8.2.4 Photometrische und radiometrische Groessen.- 8.2.5 Praktische Durchfuhrung von Lichtmessungen.- 8.3 Messungen an Lichtsendern.- 8.3.1 Messung der senderseitigen Grundgroessen.- 8.3.2 Eichung von Lichtsendern.- 8.3.3 Messung der Richtcharakteristik.- 8.3.4 Ermittlung des Strahlenflusses.- 8.3.5 Kontrastmessung.- 8.3.6 Schaltzeitmessung.- 8.3.7 Messung des Temperaturverhaltens.- 8.3.8 Farbmessung.- 8.4 Messungen an Lichtempfangern.- 8.4.1 Messung der Empfindlichkeit von Empfangern.- 8.4.2 Spezielle empfangerspezifische Groessen.- 8.4.3 Messung von Schaltzeiten.- 8.4.4 Messung von Photoelementen.- 8.5 Messung von Sender-Empfanger-Kombinationen.- 8.5.1 Messung an Optokopplern.- 8.5.2 Messung von Lichtschranken.- 8.5.3 Bauelemente fur Lichtwellenleiter.- 8.6 Literatur zu Kapitel 8.
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